SXJS-IV-異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    上海勝緒電氣有限公司，是研制、生產(chǎn)、銷售SXJS-IV-異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀系列高壓測(cè)試儀器設(shè)備的企業(yè)。主要為電力系統(tǒng)的發(fā)電、供電、用電部門、科研機(jī)構(gòu)及承裝、承試、承修（變電，電纜）電力設(shè)備相關(guān)的生產(chǎn)企業(yè)，提供良好的高壓試驗(yàn)設(shè)備和檢測(cè)儀器儀表,電弧防護(hù)服。產(chǎn)品有著專業(yè)優(yōu)質(zhì)、精確智能、穩(wěn)定高效、輕巧便攜、簡單操作、安全耐用的特點(diǎn)，為用戶帶來了顯著的經(jīng)濟(jì)效益，贏得普遍贊譽(yù)，銷售網(wǎng)絡(luò)遍及全國。

主要特點(diǎn)： 

超大液晶中文顯示
SXJS-IV-異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀配備了大屏幕（105mm×65mm）中文菜單界面，屏顯分為左右兩部分，左邊為功能菜單區(qū)，右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示，每一步都非常清楚，操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作，微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測(cè)量，是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。
2. 海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器，能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存，隨時(shí)可以查看歷史記錄，并可以打印輸出；
3. 科學(xué)良好的數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出，可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司軟件，查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。
4. 多種測(cè)試模式
能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測(cè)試；在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓（大于10kV）介質(zhì)損耗。
5. CVT測(cè)試一步到位
該儀器還可以測(cè)試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量，實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測(cè)試。該儀器還可以測(cè)試CVT變比和電壓角差。
6. 高速采樣信號(hào)
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制，輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
7. 多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施，保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能，確保不接地設(shè)備不允許升壓。

工作原理：

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成，被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法，通過矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。

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技術(shù)指標(biāo) ：
1、環(huán)境：-5℃～40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)間日照） 
2、相對(duì)濕度：30%～70% 
3、供電電源：電壓：220V±10%，頻率50±1Hz 
4、外形尺寸：長*寬*高=500mm*300mm*400mm 
5、重量：28kg 
6、輸出功率：1.5KVA 
7、顯示分辨率：3位、4位（內(nèi)部全是6位） 
8、測(cè)試方法：正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法
9、測(cè)量范圍：內(nèi)接試驗(yàn)電壓：≤60000PF（10KV電壓大于30000PF）
外接試驗(yàn)電壓：由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定 
10、基本測(cè)量誤差： 
介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±0.04% 
電容容量（Cx）：1%±1pF